Les equipements du cmeba

Le C.M.E.B.A. dispose de trois microscopes électroniques à balayage

  1. JEOL JSM 7100 F EDS EBSD Oxford
  2. JEOL JSM 6301 F
  3. JEOL IT 300 LA EDS pression variable

JEOL JSM 7100 F EDS EBSD Oxford


MEB 7100F

Caractéristiques Techniques

- Source à émission de champ (SEM FEG) type Schottky
- Résolutions : 2nm à 1kV - 1.6nm à 5kV - 1.2nm à 15kV
- Courant de sonde de 1pA à 600nA
- Mesure de courant intégré
- Détecteur d'électrons secondaires type Everhart-Thornley
- Détecteur d'électrons rétrodiffusés aux faibles angles (SRBEI)
- Détecteurs d'électrons secondaires et rétrodiffusés in-lens
- Détecteur EDS SDD X-Max 50mm2 Oxford Instruments AZtecEnergy
- Détecteur EBSD AZtec HKL Advanced Nordlys Nano équipé de 4 détecteurs FSD couplé à l'EDS
 

JEOL JSM 6301 F

MEB JSM 6301 F

Caractéristiques Techniques

- Source à émission de champ type Schottky
- Résolutions : 2nm à 1kV - 1.6nm à 5kV - 1.2nm à 15kV
- Courant de sonde de 1pA à 600nA
- Mesure de courant intégré
- Détecteur d'électrons secondaires type Everhart-Thornley
 

JEOL IT 300 LA EDS pression variable

MEB IT 300

L'-IT300 LA est un MEB compact multi-applications qui permet de travailler sur tout type d'échantillons : biologiques, minéralogiques, métallurgiques, polymères…Cet appareil est également un outil Analytique il est équipé d’un système à dispersion d'énergie pour l’analyse élémentaire.L’imagerie MEB en pression variable (ou LV pour "low vacuum") permet d’observer des échantillons isolants sans métallisation préalable. Elle peut être utilisée pour des échantillons sensibles au vide ou que l’on ne souhaite pas altérer. Les images LV ont un contraste proche des images en électrons secondaires, mais les grandissements utilisés sont plus faibles. L’analyse chimique est possible mais de moins grande précision qu’avec des échantillons métallisés.

Caractéristiques Techniques:

- Source émission : filament de W
- Résolutions : 3nm à 30keV, 15nm à 1keV, 8nm à 3keV
- Détecteur d'électrons secondaires large angle solide
- Détecteur d'électrons rétrodiffusés: type NIP (brevet JEOL)
- Détecteur EDS SDD intégré dans le système